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东京威力科创股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200935541 | 基板载置机构，基板处理装置，对基板载置机构上之膜堆积抑制方法及记忆媒体 | 2009.08.16 | 系用以载置被处理基板之基板载置机构，具备：具有被处理基板载置面（21a），埋设着将被处理基板（W）加 |
| 2 | TW419713 | 缺口对准装置及其调整工具 | 2001.01.21 | 一种缺口对准(notch alignment)装置是为了对准形成在以对缘对整方式收纳于载体(3)内之 |
| 3 | TW200733199 | 热及电浆增强气相沉积设备与其操作方法 | 2007.09.01 | 在基板上进行气相沈积之方法、电脑可读媒体及系统，此方法将基板放置于处理系统之处理空间中，该处理空间系 |
| 4 | TW200733203 | 喷洒器头结构之清洁方法 | 2007.09.01 | 本发明系一种喷洒器头结构，用以供给一定之气体，被设置于为了对被处理体实施成膜处理之处理室之顶部，包含 |
| 5 | TW495825 | 被处理体之保持机构 | 2002.07.21 | 本发明关于一种被处理体之保持机构，具有一继电器开关，而该继电器开关系可由高频电力供给线路中之直流成份 |
| 6 | TWI254963 | 基板处理装置 | 2006.05.11 | 本发明之基板处理装置具有使以适当间隔平行地配列之多片基板(W)旋转之转动元件(45)，且一面藉前述转 |
| 7 | TW200602567 | 于电浆处理中所使用之元件的扣接方法与系统 | 2006.01.16 | 一种使用于电浆处理工具中，用以将第一元件及第二元件扣接在一起之扣接元件。扣接元件包括用来曝露于电浆处 |
| 8 | TWI243419 | 处理元件用之障壁层及其形成方法 | 2005.11.11 | 为了减轻于处理系统中暴露的处理元件受处理腐蚀及于处理系统中基板之任何随后污染，将暴露于处理中的处理元 |
| 9 | TW200305965 | 半导体处理系统之基板支撑机构 | 2003.11.01 | 于半导体处理系统中，支撑机构（12A）是使用在和搬运臂（32）协同工作移载被处理基板（W）。支撑机构 |
| 10 | TW200411719 | 基板处理装置及基板处理装置的洗净方法 | 2004.07.01 | 本发明之基板处理装置包含：处理容器，收容基板；外部容器，配置于该处理容器之外部；洗净气体源供给系统， |
| 11 | TW200411512 | 作业者管理系统,作业者管理装置及作业者管理方法 | 2004.07.01 | 设置：按照作业内容而区分成复数作业区域的作业场100，及将前记作业场112之各作业区域和该各作业区域 |
| 12 | TW425605 | 电浆成膜方法 | 2001.03.11 | 本发明系一种电浆成膜方法，系用以于一真空容器内，该真空容器内备有一载置被处理体用之载置台，而将含有碳 |
| 13 | TW430866 | 热处理装置 | 2001.04.21 | 本发明揭示一种，将晶圆W收容在半导体晶圆之热处理炉3内之处理领域A，而密闭炉口，以一定之处理气体及处 |
| 14 | TW469488 | 蚀刻方法 | 2001.12.21 | 提供一种不使用蚀刻中止层而能防止微沟渠之蚀刻方法。将处理气体导入气密的处理室内，对形成于配置在处理室 |
| 15 | TW480610 | 基板处理方法及基板处理装置 | 2002.03.21 | 于壳体内设置一由盖体及下部容器所构成之密闭容器，并于壳体上连接氮气之供给管。设置一与密闭容器内之装载 |
| 16 | TW480609 | 涂布膜形成装置及涂布膜形成方法 | 2002.03.21 | 将晶圆W之涂布区域区分为例如三个区域，当邻近之经区分之一区域的涂布终止位置及其他区域之涂布起始位置系 |
| 17 | TW492123 | 资料通讯方法及系统 | 2002.06.21 | 一种资料通讯方法包含下列步骤，于进行物件的电气特征测试之前，由一探测装置以成批方式传输测量资料至一测 |
| 18 | TW513760 | 液处理装置及液处理方法 | 2002.12.11 | 本液处理装置包含有用以包围用以收容多枚被处理基板W之处理室(51，52)之处理容器(26，27，26 |
| 19 | TW516114 | MOCVD系统 | 2003.01.01 | 本发明关于一种MOCVD系统，系以五乙氧钽为原料液在半导体晶圆上形成钽氧化膜。在该系统中，原料桶30 |
| 20 | TW200302535 | 载置台的除电机构以及检查装置 | 2003.08.01 | 本发明的除电机构20具备机械的开关机构(例如弹簧高跷销)21与电气地导通自如地连接于此弹簧高跷销21 |
| 21 | TW200303375 | 阳极氧化装置及阳极氧化方法 | 2003.09.01 | 本发明系提供一种可对被处理基板之被处理部均一地照射光，藉此可在被处理基板内更均一地进行阳极氧化处理之 |
| 22 | TW200305246 | 探测区域的设定方法及探测装置 | 2003.10.16 | 对于形状不一定的不定形的晶圆或缺损的晶圆等的情形，操作者很难指定设计上的边缘晶片的位址，设定探测区域 |
| 23 | TW200402093 | 电子装置材料之制造方法 | 2004.02.01 | 本发明系在至少包含含有成膜物质之气体、及稀有气体之处理气体的存在下，使用依据经由具复数裂缝的平面天线 |
| 24 | TW200406136 | 电浆处理装置 | 2004.04.16 | 本发明揭示一种包含一分隔一高频感应天线与一真空室之板的电浆处理装置。该板包含一具有一开口之非磁性金属 |
| 25 | TW200406809 | 基板处理装置及基板处理方法 | 2004.05.01 | 在藉由在转子上装备的多个保持构件保持基板W的周边、藉由上述转子转动处理基板W的基板处理装置中，在上述 |
| 26 | TW200409264 | 探针装置 | 2004.06.01 | 本发明的探针装置20是具备顶板27。在顶板27上配置有用来安装测试头TH的安装机构60。安装机构60 |
| 27 | TW591687 | 处理系统 | 2004.06.11 | 经由网路9来连接CVD装置31或是扩散装置等的复数台处理装置3、测定装置5以及管理用的控制电脑7。各 |
| 28 | TW200509211 | 涂布方法及涂布装置 | 2005.03.01 | 本发明系提供一种涂布方法及涂布装置，系在接近被处理基板的上面或被处理面的高度位置上安全地进行扫描喷嘴 |
| 29 | TW200509364 | 贴合方法及贴合装置 | 2005.03.01 | 本发明系提供一种贴合方法及贴合装置，系以高平面度在第1以及第2保持构件44、46保持薄板体1及其他构 |
| 30 | TW200512791 | 蚀刻方法 | 2005.04.01 | 本发明之课题为提供一种蚀刻方法，一边使遮罩层的各图案宽度一致，一边将由遮罩层所遮罩的被蚀刻层，图案化 |
| 31 | TW200518176 | 真空容器 | 2005.06.01 | 本发明的课题为：伴随着LCD用基板(S)的处理装置的大型化，真空预备室(1)的盖体(1B)如果超过1 |
| 32 | TW200525687 | 上浮式基板搬运处理装置 | 2005.08.01 | 〔课题〕提供一种有利于装置的小型化及简单化，而且做成能够提高处理效率之上浮式基板搬运处理装置。〔解决 |
| 33 | TW200531145 | 基板洗净用双流体喷嘴及基板洗净装置 | 2005.09.16 | 本发明系提供一种基板洗净用双流体喷嘴，目的在于系在内部混合气体与液体，一起喷射液滴与气体以洗净基板， |
| 34 | TW200540989 | 被处理体之氧化方法、氧化装置及记录媒体 | 2005.12.16 | 本发明系提供一种被处理体之氧化方法，其系无需使制程温度高温化，即可抑制钨层之氧化并且使矽层表面选择性 |
| 35 | TW200604390 | 薄膜形成装置及薄膜形成装置之洗净方法 | 2006.02.01 | 一种用于半导体处理的薄膜形成装置之使用方法，包含去除附着在前述薄膜形成装置之反应室内面的副生成物膜之 |
| 36 | TW200620519 | 积层基板及探针卡 | 2006.06.16 | 本发明为一种积层基板及探针卡，其目的在于不使用特殊材料而大幅抑制热变形。依本发明，其为一种探针卡，该 |
| 37 | TW200625445 | 基板处理方法 | 2006.07.16 | 本发明系在晶圆表面形成抗蚀剂膜，用以在抗蚀剂膜照射曝光光线，在与抗蚀剂膜面对面之光学元件和晶圆表面间 |
| 38 | TW200822208 | 半导体装置之制造方法、半导体装置之制造装置、电脑记忆媒体及记忆有处理程式之记忆媒体 | 2008.05.16 | 本发明是提供当具有金属膜进行湿式蚀刻的步骤、及之后该金属模进行乾式蚀刻的步骤的情况,可以减少:在湿式 |
| 39 | TW200629350 | 基板处理系统 | 2006.08.16 | 本发明的课题抑制由处理气体产生的测定装置内的污染。本发明的解决手段在测定装置4的筐体30内，设有形成 |
| 40 | TWI262536 | 高压热处理装置 | 2006.09.21 | 本发明系提供一种高压热处理装置，其于经常维持为高压之高压热处理室中，于被处理体之热处理中，可于加载互 |
| 41 | TW200636807 | 超临界处理中之清理步骤 | 2006.10.16 | 一种自物体表面移除残留物之设备，该物体系位于处理室内之支撑区域上。该设备包含：用以施行双压清理处理之 |
| 42 | TW200707579 | 基板之氮化处理方法及绝缘膜之形成方法 | 2007.02.16 | 揭示之基板之氮化处理方法，系在电浆处理装置之处理室内对基板表面之矽作用含氮之电浆而施予氮化处理者；使 |
| 43 | TW200711022 | 载入锁定装置及处理方法 | 2007.03.16 | 提供可以可以良好调节基板温度的载入锁定装置及处理方法。载入锁定装置，构成为具备：搬入口，设于对外部进 |
| 44 | TW200710970 | 超临界处理中之冲洗步骤 | 2007.03.16 | 揭露一种自物体表面移除残留物之设备，该物体系位于处理室内之支撑区域上。该设备包含：用以施行双压冲洗处 |
| 45 | TW200717654 | 用以形成氧化层之多源方法及系统 | 2007.05.01 | 本发明揭露一种在基板上制备氧化膜的方法。将基板表面氧化以形成氧化膜。将表面暴露至氧自由基，该氧自由基 |
| 46 | TW200717653 | 具拉伸应力之氮氧化矽膜之形成方法 | 2007.05.01 | 一种具拉伸应力之致密氮氧化矽膜与包含致密氮氧化矽膜之半导体装置的形成方法。该致密氮氧化矽膜可藉由下列 |
| 47 | TWI281208 | 形成金属结线之方法及形成金属结线之半导体制造装置 | 2007.05.11 | 一种形成一金属膜之方法，包括步骤(a)(s13, s15)依序地提供复数种类的原料气体至一基部阻障膜 |
| 48 | TWI281207 | 基板处理方法、基板处理装置及电脑可读取之记录媒体 | 2007.05.11 | 本发明是由附有ArF抗蚀膜之晶圆去除ArF抗蚀膜之处理方法。经由对ArF抗蚀膜施予紫外线照射处理，然 |
| 49 | TW200802592 | 蚀刻方法及蚀刻装置、以及电脑可读取的记忆媒体 | 2008.01.01 | 本发明系关于进行使用处理气体之电浆的蚀刻处理之方法。该蚀刻处理系对具有基板（101）、和形成于该基板 |
| 50 | TW200806807 | 成膜装置之排气系统构造、成膜装置及排气之处理方法 | 2008.02.01 | 成膜装置100系具备处理容器11，将TiCl4气体及NH3 气体供应至处理容器11内，并藉由CVD将 |
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